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MOSFET del driver del motore di BLDC

JUYI N Canale Alta tensione BLDC Motor Driver MOSFET 210W Power Switching Application

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JUYI N Canale Alta tensione BLDC Motor Driver MOSFET 210W Power Switching Application

Marchio:	JUYI
Numero di modello:	JY11M
Moq:	1 set
prezzo:	Negoziabile
Dettagli dell' imballaggio:	Cartone del PE bag+
Condizioni di pagamento:	T/T, L/C, Paypal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La Cina

Tensione di Scolo-fonte:

100 V

Tensione di Portone-fonte:

Dissipazione di potere massima:

Corrente pulsata dello scolo:

Alta tensione:

- Sì, sì.

recupero del corpo inverso:

- Sì, sì.

Capacità di alimentazione:

1000sets/day

Evidenziare:

driver del mosfet del pwm

driver passo passo del mosfet

Descrizione del prodotto

MOSFET di potere di modo di potenziamento di Manica di JY11M N

DESCRIZIONE GENERALE

Il JY11M utilizza le tecniche di trattamento dell'ultima fossa per raggiungere l'alta cellula
la densità e riduce la su resistenza con l'alta valutazione ripetitiva della valanga. Questi
le caratteristiche si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per
uso nell'applicazione di commutazione di potenza e un'ampia varietà di altre applicazioni.

CARATTERISTICHE

● 100V/110A, RDS (SOPRA) =6.5MΩ@VGS=10V
Commutazione veloce del ● e recupero inverso del corpo
Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate del ●
Pacchetto eccellente del ● per buona dissipazione di calore

APPLICAZIONI
Applicazione di commutazione del ●
Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●
Gestione di potere del ● per i sistemi dell'invertitore

Valutazioni massime assolute (Tc=25ºC salvo indicazione contraria)

Simbolo	Parametro	Limite	Unità
VDS	Tensione di Scolo-fonte	100	V
VGS	Tensione di Portone-fonte	± 20	V
Identificazione	Scolo continuo Corrente	Tc=25ºC	110	A
Tc=100ºC	82
IDM	Corrente pulsata dello scolo	395	A
Palladio	Dissipazione di potere massima	210	W
TJ TSTG	Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione Gamma	-55 - +175	ºC
RθJC	Resistenza-giunzione termica da rivestire	0,65	ºC/W
RθJA	Resistenza-giunzione termica ad ambientale	62

Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)

Simbolo	Parametro	Circostanze	Min	Tipo	Massimo	Unità
Caratteristiche statiche
BVDSS	Scolo-fonte Tensione di ripartizione	VGS =0V, ID =250UA	100	V
IDSS	Tensione zero del portone Vuoti la corrente	VDS =100V, VGS =0V	1	uA
IGSS	Perdita del Portone-corpo Corrente	=± 20V, VDS =0V di VGS	± 100	Na
VGS (Th)	Soglia del portone Tensione	VDS = VGS, ID =250UA	2,0	3,0	4,0	V
RDS (SOPRA)	Scolo-fonte resistenza dello Su stato	VGS =10V, ID =40A	6,5	mΩ
gFS	Di andata Transconduttanza	VDS =50V, ID =40A	100	S

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MANUALE DELL'UTENTE DI DOWNLOAD JY11M

JY11M.pdf

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