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La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta

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La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta

La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta
La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta

Grande immagine :  La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: JUYI
Numero di modello: JY13M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 set
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: Cartone del PE bag+
Tempi di consegna: 5-10 giorni
Termini di pagamento: T/T, L/C, Paypal
Capacità di alimentazione: 1000sets/day

La superficie di Manica 40V del MOSFET N e di P del driver del motore di JY13M BLDC monta

descrizione
tensione di Scolo-fonte: 40 V Tensione di Portone-Fonte: ±20V
Dissipazione di potere massima: 2w Corrente pulsata dello scolo: 30A
Velocità di commutazione veloce: Forma: Square
Evidenziare:

driver a corrente forte del mosfet

,

driver del mosfet del pwm

JY13M N e P incanalano il MOSFET 40V per il driver del motore di BLDC


DESCRIZIONE GENERALE


Il JY13M è i transistor del campo di potere del modo di potenziamento di logica di Manica di P e di N
Quale può fornire il RDS eccellente (SOPRA) e la tassa bassa del portone. Il complementare
I MOSFETs possono essere utilizzati in H-ponte, in invertitori ed in altre applicazioni.


CARATTERISTICHE

Dispositivo VBR (DSS) RDS (SOPRA) MAX TJ =25ºC Pacchetto
N-Manica 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-Manica -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


Capacità bassa dell'input del ●
Velocità di commutazione veloce del ●

 

Valutazioni massime assolute (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)

Parametro Simbolo Manica di N Manica di P Unità
Vuoti la tensione di fonte VDSS 40 -40 V
Tensione di fonte di portone VDSS ±20 ±20
Continuo
Vuoti la corrente
Ta=25ºC Identificazione 12 -12 A
Ta=100ºC 12 -12
Corrente pulsata dello scolo IDM 30 -30
Potere massimo
Dissipazione
Ta=25ºC Palladio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Giunzione e stoccaggio
Gamma di temperature
TJ TSTG -55 - 150 ºC
Resistenza termica
Giunzione ad ambientale
RθJA 10s 25 ºC/W
Costante 60
Resistenza termica
Giunzione da rivestire
RθJC 5,5 5 ºC/W


Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)

Simbolo Parametro Circostanze Min Tipo Massimo Unità
Statico
VGS (Th) Soglia del portone
Tensione
VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Perdita del portone
Corrente
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 Na
P-Ch ±100
IDSS Tensione zero del portone
Vuoti la corrente
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 uA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICAZIONE (SOPRA) Scolo dello Su stato
Corrente
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30 A
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (SOPRA) Scolo-fonte
Su stato
Resistenza
VGS =10V, IDENTIFICAZIONE =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICAZIONE =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICAZIONE =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo in avanti
Tensione
È =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
È =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

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MANUALE DELL'UTENTE DI DOWNLOAD JY13M

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